半導體材料微觀結構分析介紹

半導體材料分析的主要手段有：SEM、FIB、TEM、HRTEM、EBSD等。FIB（聚焦離子束，FocusedIon beam)是將離子源(大多數FIB都用Ga，也有設備具有He和Ne離子源)產生的離子束經過離子槍加速,聚焦后作用于樣品表面。作用：

1.產生二次電子信號取得電子像.此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似

2.用強電流離子束對表面原子進行剝離,以完成微、納米級表面形貌加工。

3.通常是以物理濺射的方式搭配化學氣體反應，有選擇性的剝除金屬,氧化硅層或沉積金屬層。

（FIB 聚焦離子束）