半導體材料質量分析介紹
半導體材料質量分析的手段主要有XRD、HRXRD、XRD mapping、AFM、TEM等。XRD 即X-ray diffraction 的縮寫，中文翻譯是X射線衍射，通過對材料進行X射線衍射，分析其衍射圖譜，獲得材料的成分、材料內部原子或分子的結構或形態等信息的研究手段。用于確定晶體的原子和分子結構。其中晶體結構導致入射X射線束衍射到許多特定方向。高分辨X射線衍射（HRXRD）對被測樣品的結晶特性進行表征，包括取向性、外延關系、晶粒尺寸、缺陷密度，以及對低維異質結構的結晶質量和結構參數的表征。AFM全稱Atomic Force Microscope，即原子力顯微鏡，它是繼掃描隧道顯微鏡（Scanning TunnelingMicroscope）之后發明的一種具有原子級高分辨的新型儀器，可以在大氣和液體環境下對各種材料和樣品進行納米區域的物理性質包括形貌進行探測，或者直接進行納米操縱。TEM透射電子顯微鏡（英語：Transmissionelectron microscope，縮寫TEM），簡稱透射電鏡，是把經加速和聚集的電子束投射到非常薄的樣品上，電子與樣品中的原子碰撞而改變方向，從而產生立體角散射。散射角的大小與樣品的密度、厚度相關，因此可以形成明暗不同的影像。
（SEM設備圖）
（TEM設計圖）
拋光漿料配方分析
