半導體材料成分分析介紹
半導體材料成分分析的主要手段有：XPS、AES、SIMS、XRD、EDS、Raman等。XPS全稱X射線光電子能譜分析(X-rayphotoelectron spectroscopy, XPS)是用X射線去輻射樣品，使原子或分子的內層電子或價電子受激發射出來。被光子激發出來的電子稱為光電子，可以測量光電子的能量，以光電子的動能為橫坐標，相對強度(脈沖/s)為縱坐標可做出光電子能譜圖，從而獲得待測物組成。AES（俄歇電子能譜法）是用具有一定能量的電子束(或X射線)激發樣品俄歇效應，通過檢測俄歇電子的能量和強度，從而獲得有關材料表面化學成分和結構的信息的方法。利用受激原子俄歇躍遷退激過程發射的俄歇電子對試樣微區的表面成分進行的定性定量分析。SIMS全稱二次離子質譜（secondary ion mass spectroscopy），是一種非常靈敏的表面成份精密分析儀器，它是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的分析吸收能量而從表面發生濺射產生二次粒子,通過質量分析器收集、分析這些二次離子，就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。EDS能譜儀(Energy Dispersive Spectrometer)是用來對材料微區成分元素種類與含量分析，配合掃描電子顯微鏡與透射電子顯微鏡的使用。拉曼光譜（Raman spectra），是一種散射光譜。拉曼光譜分析法是基于印度科學家C.V.拉曼（Raman）所發現的拉曼散射效應，對與入射光頻率不同的散射光譜進行分析以得到分子振動、轉動方面信息，并應用于分子結構研究的一種分析方法。
（俄歇電子能譜法）
（EDS能譜儀）
