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半導體材料微觀結構分析介紹

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半導體材料分析的主要手段有：SEM、FIB、TEM、HRTEM、EBSD等。FIB（聚焦離子束，FocusedIon beam)是將離子源(大多數FIB都用Ga，也有設備具有He和Ne離子源)產生的離子束經過離子槍加速,聚焦后作用于樣品表面。作用：

1.產生二次電子信號取得電子像.此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似

2.用強電流離子束對表面原子進行剝離,以完成微、納米級表面形貌加工。

3.通常是以物理濺射的方式搭配化學氣體反應，有選擇性的剝除金屬,氧化硅層或沉積金屬層。

EBSD全稱電子背散射衍射(外文名Electron Backscattered Diffraction)，EBSD的主要特點是在保留掃描電子顯微鏡的常規特點的同時進行空間分辨率亞微米級的衍射（給出結晶學的數據）。

（FIB 聚焦離子束）